基本信息

  • 生产厂商 沈阳创一真空技术有限公司
  • 资产编号 21014614
  • 资产负责人 李东升
  • 购置日期2021-07-30
  • 仪器价格126.80 万元
  • 仪器产地中国
  • 仪器供应商
  • 购买经办人
  • 主要配件
  • 主要参数1.极限真空:6×10-6Pa;真空漏率:<10-8Pa·L·s-12.最高加热温度:1000℃,控温精度±1℃;3.激光控制:连续/调制两种模式可选,可进行功率调节(0%~100%),频率调制(最大调制频率1000Hz),可设定温度自动调控激光功率,加热面积:直径6英寸,确保中间80%区域光强均匀性优于5%。

仪器介绍

半导体薄膜生长;激光原位退火;图案化生长