采用高温氧化炉对碳化硅表面进行氧化，再腐蚀氧化层，去除基片表面损伤层。在碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT器件中，采用高温氧化工艺，生成高质量低界面态密度的栅氧化层，改善SiO2/SiC界面，获得低界面陷阱密度、高MOS沟道迁移率，是研制SiC MOSFET的必不可少的工艺。